Идентификация и чтение микросхем флэш-памяти (справочная информация).
Чтение содержимого микросхемы флэш-памяти является следующим шагом после чтения идентификатора.
Для этого необходимо указать ряд параметров. Если идентификатор прочитался корректно и информация об этой микросхеме присутствует в базе комплекса, то все необходимые данные будут использованы автоматически. В противном случае перед началом процесса чтения пользователю необходимо будет их явно ввести. Все необходимые значения могут быть получены из документации на соответствующую микросхему.
При чтении допускается определить следующие параметры операции:
Скорость чтения определяет время чтения одной страницы флэш-памяти. Отличие режима "Быстрое" и "Нормальное" заключается в величине периода цикла чтения, соответственно 40 и 60 нс. Поддержка микросхемой конкретного цикла чтения устанавливается из документации на микросхему. В случае задания неподдерживаемого режима число ошибок верификации многократно возрастет, что резко снизит достоверность данных. По умолчанию для всех микросхем установлен параметр "Нормальное".
Автоверификация. При чтении микросхемы средствами штатного контроллера ошибка в один - два бита на страницу является допустимой, и автоматически корректируются алгоритмами ECC, примененными в данном контроллере. При чтении микросхемами средствами комплекса, тип и особенности алгоритма ECC неизвестны, поэтому контролировать повреждение на уровне бит при однократном чтении невозможно. Если установить флаг "Автоверификация", утилита будет выполнять многократное чтение каждой страницы с последующим сравнением по содержимому. В случае несоответствия, утилита учтет наиболее вероятное состояние ошибочного бита. Данная информация доступна пользователю в процессе чтения и по завершению выводится в протокол.
Важно! Рекомендуется всегда использовать автоверификацию!
Число повторов при обнаружении нестабильно читающегося бита задается в поле "Число попыток при ошибке". Следует помнить, что большее число повторов повышает достоверность обнаружения и исправления ошибки, но приводит к уменьшению скорости процесса чтения.
Изменить параметры протокола. Позволяет изменить параметры микросхемы при выполнении данной операции чтения. Измененные параметры не сохраняются в базе комплекса, а применяются однократно в данной конкретной операции.
Параметры микросхемы можно импортировать из справочника микросхем памяти с помощью кнопки "Импортировать".
Схема состояний выводов. При изменении параметров чтения микросхемы пользователь может установить состояния сигналов для ряда выводов микросхемы (0, 1, Z). В комплексе хранится несколько схем состояний выводов которые могут быть применены для чтения микросхемы. Кроме этого, возможно создание новых схем состояний.
Изменить конфигурацию выводов. Непосредственно задать схему состояний выводов можно с помощью формы "Установка состояний выводов" которая вызывается из окна "Параметры чтения" с помощью кнопки "Изменить конфигурацию выводов" (кроме этого, форма доступна из окна "Ресурсы FLASH").
При выполнении операции чтения ход процесса будет отображаться на экране. Все возникающие ошибки будут выведены в протокол. По завершении процесса чтения, микросхемы в задаче, для которой выполнялась данная операция, изменит статус на «Прочитана». Допускается выполнение операции сброса для прочитанных микросхем, при этом все ранее прочитанные данные будут уничтожены, а статус микросхемы изменится на "Неизвестная микросхема".
В процессе чтения реализована возможность просматривать состояние процесса верификации (панель "Операция").
При повышении уровня детализации в протокол выводятся "прореженые" читаемые данные с помощью которых можно контролировать качество читаемых данных (например, в случае, если читаются данные типа 0х00 или 0хFF, то дальнейшее чтение не имеет смысла).
